Расчёт h-параметров транзистора МП25Б в активной области для семейства выходных характеристик.

БАШКИРСКИЙ Муниципальный Институт

ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

ЛАБОРАТОРИЯ «ЭЛЕКТРОНИКА»

ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №3

«Исследование статических черт биполярного транзистора в схеме с ОЭ»

Выполнили: студенты 2 курса

Группы 2ИТСС

Кималов Е.В Газизов И.И

Проверил: проф. Гарифуллин Н. М.

Уфа-2015

Лабораторная работа №3.

Цель работы:ознакомиться с устройством и принципом деяния биполярного транзистора. Изучить его ВАХ в схеме включения Расчёт h-параметров транзистора МП25Б в активной области для семейства выходных характеристик. с ОЭ и по статическим ВАХ найти h-параметры транзистора. Провести кусочно-линейную аппроксимацию статических черт и найти параметра аппроксимации.

Исследуемый транзистор – МП25Б. Предназначен для внедрения в схемах переключения и преобразователей неизменного напряжения.

PA2
+ -

PA1
En2 0..25В
- + -

PV2
En1 0..10В
-

PV1


+ +


Рис 1.Схема включения p-n-p Расчёт h-параметров транзистора МП25Б в активной области для семейства выходных характеристик. транзистора в схеме с ОБ для снятия статических черт представлена на приложении.

Паспортные данные транзистора МП25Б:

Тип прибора Предельные значения характеристик при TП=25оС Значения характеристик при T=25оС
Iк.макс0., мА Iк.и.макс., мА Uкэ.Rгр., { Uкэо.макс.}, В Uэбо.макс., В Pк.макс., { Pк.и Расчёт h-параметров транзистора МП25Б в активной области для семейства выходных характеристик..макс.}, мВт h21э, { h21э} Uкб, {Uкэ}, В Iэ, {Iк}, мА Uкэ.нас., В Iкбо, мкА fтр, {fh21}, МГц
МП25А 10…25 2,5 - 0,25

1) Входные свойства транзистора МП25Б

0,001 0,046
0,02 0,041 0,02 0,111
0,04 0,061 0,04 0,133
0,06 0,071 0,06 0,146
0,08 0,081 0,08 0,157
0,1 0,089 0,1 0,167
0,2 0,112 0,2 0,196
0,4 0,146 0,4 0,234
0,6 0,172 0,6 0,261
0,8 0,191

Табл 1. Значения тока и напряжения входных черт транзистора.

B
O’
O
A

Рис 2. Входные ВАХ-ки биполярного транзистора p-n-p типа Расчёт h-параметров транзистора МП25Б в активной области для семейства выходных характеристик. в схеме с ОЭ.

2)

Расчёт h-параметров транзистора МП25Б для семейства входных черт.

Выберем в семействе входных черт характеристику при неизменном В. На графике отметим точку , подобающую

Для того, чтоб отыскать возьмём две очень точки, где Отсюда найдём приращение напряжения и тока:

=

Как следует: = .

Для определения отметим точку . Разность напряжений на Расчёт h-параметров транзистора МП25Б в активной области для семейства выходных характеристик. коллекторе в этих точках обусловит приращение коллекторного напряжения, такое.:

Приращение эмиттерного напряжения будет равно разности напряжения на эмиттере в этих точках, т.е.:

.

Как следует: =0,0012.

М

3) Выходные свойства транзистора МП25Б

0,013 0,016 0,015
0,037 0,2 0,025 0,2 0,023 0,2
0,059 0,4 0,033 0,4 0,028 0,4
0,069 0,6 0,038 0,6 0,032 0,6
0,077 0,8 0,047 0,8 0,037 0,8
0,093 0,055 0,042
2,1 0,063 0,061
2,4 0,123 0,087
2,6 7,5
3,1
19,9 5,1 10,5 7,5
12,5

Табл 2. Значения тока и напряжения выходных черт транзистора МП25А.

А
В

∆Ik


Рис 2. Выходные ВАХ-ки Расчёт h-параметров транзистора МП25Б в активной области для семейства выходных характеристик. биполярного транзистора p-n-p типа в схеме с ОЭ.

Расчёт h-параметров транзистора МП25Б в активной области для семейства выходных черт.

Выберем в семействе выходных черт характеристику при неизменном мА. Для этого на графике отметим точку , подобающую т.е. такому же напряжению коллектора, которое было выбрано Расчёт h-параметров транзистора МП25Б в активной области для семейства выходных характеристик. на графике со входными чертами.

Для того, чтоб отыскать возьмём две очень точки, где

Отсюда найдём приращение напряжения и тока:

=

Как следует: =

Для определения отметим точку . Разность токов на эмиттере в этих точках обусловит приращение эмиттерного тока, другими словами:

Приращение коллекторного тока будет равно разности тока на коллекторе в этих точках Расчёт h-параметров транзистора МП25Б в активной области для семейства выходных характеристик., другими словами:

.

Как следует: .

Построим выходную ВАХ-ку при в увеличенном масштабе и проведём её кусочно-линейную аппроксимацию.

∆IКЭнас
∆UКЭнас

Рис 3. Выходная ВАХ-ка биполярного транзистора p-n-p типа в схеме с ОЭ при в увеличенном масштабе и её кусочно-линейную аппроксимацию.

По графику определим:

Найдем выходное сопротивление транзистора в Расчёт h-параметров транзистора МП25Б в активной области для семейства выходных характеристик. режиме насыщения и выходное сопротивление транзистора в активном режиме :

=

Вывод:Мы ознакомились с устройством и принципом деяния биполярного транзистора. Также исследовали его ВАХ-ки в схеме включения с ОЭ и по статическим ВАХ научились определять h-параметры транзистора.

Итог определения h-параметров для семейства входных черт:

Для семейства выходных Расчёт h-параметров транзистора МП25Б в активной области для семейства выходных характеристик. черт:

.

Так же по графику кусочно-линейной аппроксимации обусловили:

=15 В

= 2,2мА

=

= 14,5 кОм


rascheti-po-izgotovke-metallicheskih-detalej-referat.html
rascheti-po-uravneniyam-himicheskih-reakcij.html
rascheti-porucheniyami-o-perevode-bez-otkritiya-bankovskogo-scheta.html